PBSS5240V,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSmini-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1.8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 mA, 5 V, 160 at 1 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBSS5240V T/R

Unità di peso:

0.000102 oz

Tags

PBSS5240V, PBSS524, PBSS52, PBSS5, PBSS, PBS