BSL207N H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

2.1 nC, 2.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Serie:

BSL207

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

7 S, 7 S

Tempo di caduta:

2.4 ns, 2.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.8 ns, 2.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns, 11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns, 5.4 ns

Parte # Alias:

BSL207NH6327XTSA1 SP001100648

Tags

BSL207NH, BSL207N, BSL207, BSL20, BSL2, BSL