QS8K13TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20 nC, 20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

3 S, 3 S

Tempo di caduta:

7 ns, 7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns, 40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QS8K13

Tags

QS8K1, QS8K, QS8