FCD900N60Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

900 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

13 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

FCD900N60Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

4.6 S

Tempo di caduta:

11.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.9 ns

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FCD90, FCD9, FCD