BFU725F/N1,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

2.8 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

0.55 V

Corrente continua del collettore:

40 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-343

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

10 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

160 at 10 mA at 2 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Frequenza operativa:

55 GHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Semiconduttori NXP

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

55000 MHz

Corrente massima del collettore CC:

0.04 A

Pd - Dissipazione di potenza:

136 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934063513115

Unità di peso:

0.000235 oz

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