BSZ039N06NSATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

BSZ039N06

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

27 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

BSZ039N06NS SP002035226

Tags

BSZ03, BSZ0, BSZ