RW1A025APT2CR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.65 mm

Lunghezza:

1.7 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

RW1A025AP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

160 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

RW1A025AP

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

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