MTW32N20E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

32 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

75 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.3 mm

Lunghezza:

15.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

91 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

120 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

MTW32N20, MTW32N2, MTW32, MTW3, MTW