US6M1TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363T-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.4 nC, 2.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.77 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

US6M1

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

1 S, 0.7 S

Tempo di caduta:

8 nS, 10 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 nS, 8 nS

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 nS, 25 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 nS, 9 nS

Parte # Alias:

US6M1

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

US6M1T, US6M1, US6M, US6