TPN4R303NL,L1Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON-Advance-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

63 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14.8 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

34 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Serie:

TPN4R303NL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.1 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.5 ns

Tags

TPN4R3, TPN4, TPN