IGB15N65S5ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.35 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

35 A

Pd - Dissipazione di potenza:

105 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

35 A

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

IGB15N65S5 SP001502560

Tags

IGB15, IGB1, IGB