PMH950UPEH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN0606-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 530 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 0.95 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

0.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

700 mS

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1 ns

Tags

PMH