IPC70N04S54R6ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

24.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Serie:

Canale N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Parte # Alias:

IPC70N04S5-4R6 SP001418124

Tags

IPC7, IPC