NVATS68301PZT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ATPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

31 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

57 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

84 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

NVATS68301PZ

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

170 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

150 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

250 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NVAT, NVA