FDMS8D8N15C

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

85 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

50 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

132 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

120 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Tags

FDMS8, FDMS, FDM