FQT1N60CTF-WS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

QFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.8 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

FQT1N60C

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

FQT1N60CTF_WS

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FQT1N60CTF-W, FQT1N60CT, FQT1N60C, FQT1N6, FQT1N, FQT1, FQT