BD135TG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-225-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BD135

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25

Pd - Dissipazione di potenza:

12.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.068784 oz

Tags

BD135, BD13, BD1