ZXTN19100CZTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

200 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

65 mV

Corrente massima del collettore CC:

5.25 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN19100

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at 100 mA, 2 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

5.25 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 5.25 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

4460 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

ZXTN191, ZXTN19, ZXTN1, ZXTN, ZXT