TK32E12N1,S1X

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

120 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

98 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

15.1 mm

Lunghezza:

10.16 mm

Serie:

TK32E12N1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

33 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

TK32E, TK32, TK3