AS4C256M8D3LB-12BAN

AS4C256M8D3LB-12BAN
Mfr. #:
AS4C256M8D3LB-12BAN
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 2G 1.35V 256M x 8 DDR3 E-Temp
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C256M8D3LB-12BAN Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
AS4C256M8D3LB-12BAN maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM - DDR3L
Larghezza bus dati:
8 bit
Organizzazione:
256 M x 8
Pacchetto/custodia:
TFBGA-78
Dimensione della memoria:
2 Gbit
Frequenza massima di clock:
800 MHz
Tensione di alimentazione - Max:
1.45 V
Tensione di alimentazione - Min:
1.283 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 105 C
Serie:
AS4C256M8D3LB-12
Confezione:
Vassoio
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
242
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C256M8D3LB, AS4C256M8D3L, AS4C256M8D3, AS4C256M8, AS4C256M, AS4C25, AS4C2, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
DDR3 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieve high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600 Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pair in a source synchronous fashion. These devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.
Immagine Parte # Descrizione
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DRAM 2G 1.35V 256M x 8 DDR3 E-Temp
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DRAM 2G 1.35V 800MHz 256M x 8 DDR3
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DRAM 2G, 1.35V, 1600Mhz 256M x 8 DDR3
AS4C256M8D3-12BAN

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DRAM 2G 1.5V 1600Mhz 256M x 8 DDR3
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DRAM 2G 1.35V 1600Mhz 256M x 8 DDR3
AS4C256M8D3-12BAN

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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Automotive, AEC-Q100
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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Automotive, AEC-Q100
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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
AS4C256M8D3LB-12BIN

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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
242
6,60 USD
1 597,20 USD
484
6,40 USD
3 097,60 USD
726
5,97 USD
4 334,22 USD
1210
5,87 USD
7 102,70 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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