CSD87588NT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PTAB-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.4 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.2 nC, 13.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.48 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

CSD87588N

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

Stadio di potenza Buck NexFET sincrono

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

43 S, 93 S

Tempo di caduta:

5 ns, 6.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

31.6 ns, 36.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.2 ns, 20.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.3 ns, 12.1 ns

Tags

CSD8758, CSD875, CSD87, CSD8, CSD