TGF2929-HM

TGF2929-HM
Mfr. #:
TGF2929-HM
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2929-HM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2929-HM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
17.4 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
50 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 2.8 V
Id - Corrente di scarico continua:
7.2 A
Potenza di uscita:
132 W
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
140 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Cialda
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
DC to 3.5 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 40 C to + 85 C
Serie:
TGF
Marca:
Qorvo
Kit di sviluppo:
TGF2929-HM EVB1
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
25
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1135635
Tags
TGF292, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 17.4 dB, 28 V, GaN, NI-360 Hermetic
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2929-HM
DISTI # 772-TGF2929-HM
QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
RoHS: Compliant
0
  • 25:$338.4400
TGF2929-HM-EVB
DISTI # 772-TGF2929-HM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
Immagine Parte # Descrizione
LMX2592RHAT

Mfr.#: LMX2592RHAT

OMO.#: OMO-LMX2592RHAT

Phase Locked Loops - PLL High Performance RF Synthesizer
74404043033A

Mfr.#: 74404043033A

OMO.#: OMO-74404043033A

Fixed Inductors WE-LQS 4025 3.3uH 3.23A 33mOhms
SQW-120-01-F-D

Mfr.#: SQW-120-01-F-D

OMO.#: OMO-SQW-120-01-F-D

Headers & Wire Housings 2.00 mm FleXYZ Cost-effective Tiger Buy Socket Strip
929870-01-05-RA

Mfr.#: 929870-01-05-RA

OMO.#: OMO-929870-01-05-RA

Headers & Wire Housings 5P BRD MNT SKT GOLD 1 ROW 10MICRO" AU
2-179694-3

Mfr.#: 2-179694-3

OMO.#: OMO-2-179694-3

Headers & Wire Housings 2mm MT REC 3P GRY
929870-01-05-RA

Mfr.#: 929870-01-05-RA

OMO.#: OMO-929870-01-05-RA-3M

Headers & Wire Housings 5P BRD MNT SKT GOLD 1 ROW 10MICRO" AU
2-179694-3

Mfr.#: 2-179694-3

OMO.#: OMO-2-179694-3-TE-CONNECTIVITY

Headers & Wire Housings 2mm MT REC 3P GRY
RN73C2A61R9BTDF

Mfr.#: RN73C2A61R9BTDF

OMO.#: OMO-RN73C2A61R9BTDF-TE-CONNECTIVITY-AMP

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 61R9 0.1% 10PPM 1KRL
LMX2592RHAT

Mfr.#: LMX2592RHAT

OMO.#: OMO-LMX2592RHAT-TEXAS-INSTRUMENTS

Phase Locked Loops - PLL LMX2592 Wideband Frequency Synthesizer with Integrated VCO 40-VQFN -40 to 85
H81M0BYA

Mfr.#: H81M0BYA

OMO.#: OMO-H81M0BYA-TE-CONNECTIVITY-AMP

Metal Film Resistors - Through Hole H8 1M0 0.1% 15PPM
Disponibilità
Azione:
25
Su ordine:
2008
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di TGF2929-HM è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
25
338,44 USD
8 461,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
Iniziare con
Top