STP11NM60N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

370 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STB11NM60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

7.5 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

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