DMP1200UFR4-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN1010-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

5.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.26 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP12

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

40 mS

Tempo di caduta:

166 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

62 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

332 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Tags

DMP1, DMP