TK2Q60D(Q)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PW-Mold2-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

7 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

TK2Q60D

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.3 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

200

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

TK2Q, TK2