KSD1020GBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.7 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

170 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

3.7 mm

Lunghezza:

4 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.31 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

KSD1020, KSD102, KSD10, KSD1, KSD