NDD03N80ZT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.7 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

17 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

96 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.1 S

Tempo di caduta:

9 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NDD03N8, NDD03, NDD0, NDD