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TGF2060

TGF2060
Mfr. #:
TGF2060
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2060 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2060 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
pHEMT
Tecnologia:
GaAs
Guadagno:
12 dB
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
8 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 3 V
Id - Corrente di scarico continua:
194 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
2.1 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Confezione di gel
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
20 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Prodotto:
RF JFET
Serie:
TGF
Tipo:
GaAs pHEMT
Marca:
Qorvo
Transconduttanza diretta - Min:
232 mS
NF - Figura di rumore:
1.4 dB
P1dB - Punto di compressione:
28 dBm
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1098619
Tags
TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 28 dBm, 12 dB, 1.4 dB NF, 8V, DIE
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
TGF2040/60 Discrete GaAs pHEMTs
Qorvo TGF2040 400µm Discrete GaAs pHEMT and TGF2060 600µm Discrete GaAs pHEMT operate from DC to 20GHz and are designed to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. TGF2040 pHEMT typically provides 26dBm of output power at P1dB with gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression while TGF2060 typically provides 28dBm of output power at P1dB with gain of 12dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. Qorvo TGF2040 and TGF2060 pHEMTs are appropriate for high efficiency applications. Theses transistors feature a protective overcoat layer with silicon nitride that provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2060
DISTI # 772-TGF2060		QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
RoHS: Compliant		100
  • 100:$7.3300
  • 300:$6.8500
  • 500:$6.4000
  • 1000:$5.9800
Immagine Parte # Descrizione
LT1964IS5-5#TRMPBF

Mfr.#: LT1964IS5-5#TRMPBF

OMO.#: OMO-LT1964IS5-5-TRMPBF

 LDO Voltage Regulators 200mA Low Noise Negative LDO
Disponibilità
Azione:
100
Su ordine:
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
100
7,33 USD
733,00 USD
300
6,85 USD
2 055,00 USD
500
6,40 USD
3 200,00 USD
1000
5,98 USD
5 980,00 USD
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