SSM3K56CT,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CST3-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

800 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

186 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.38 mm

Lunghezza:

1 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.6 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.5 ns

Tags

SSM3K56C, SSM3K56, SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM