SSM6L35FU(TE85L,F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6L35

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

300 ns, 251 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

115 ns, 175 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6L35, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM