RCD100N19TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

190 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

130 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

52 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

85 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

RCD100N19

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

75 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

140 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

RCD100N19

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

RCD100N1, RCD100, RCD10, RCD1, RCD