PTFA192001F V4 R250

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

900 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Guadagno:

17 dB

Potenza di uscita:

100 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-37248-2

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.11 mm

Lunghezza:

22.35 mm

Frequenza operativa:

1.93 GHz to 1.99 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

13.72 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

417 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Parte # Alias:

FA192001FV4R25XT SP000393369

Tags

PTFA1920, PTFA192, PTFA19, PTFA1, PTFA, PTF