MBC13900NT1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100 at 5 mA at 2 V

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

6.5 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-343

Collettore-tensione di base VCBO:

8 V

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

NXP / Freescale

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

15000 MHz

Corrente massima del collettore CC:

0.02 A

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Tags

MBC1390, MBC139, MBC13, MBC1, MBC