PN3565 TIN/LEAD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.35 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

240 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

PN35

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600 at 1 mA, 10 V

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

50 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150 at 1 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

PN3565, PN356, PN35, PN3