DMG8601UFG-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN3030-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

8.8 nC, 8.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

920 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMG8601

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

234 ns, 234 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

78 ns, 78 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

562 ns, 562 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

53 ns, 53 ns

Unità di peso:

0.000423 oz

Tags

DMG8, DMG