RV1C001ZPT2L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN0806-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

RV1C001ZP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

120 mS

Tempo di caduta:

137 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

62 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

325 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

46 ns

Parte # Alias:

RV1C001ZP

Tags

RV1C001Z, RV1C001, RV1C0, RV1C, RV1