HCT7000MTX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Elettronica Optek / TT

Transconduttanza diretta - Min:

0.1 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

MOSFET

Tags

HCT7000, HCT700, HCT70, HCT7, HCT