VMMK-1218-TR1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Broadcom Limited

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

efemità

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

9 dB

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

5 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 5 V to 1 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

10 GHz

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconduttanza diretta - Min:

200 mS

NF - Figura di rumore:

0.81 dB

P1dB - Punto di compressione:

12 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

Tags

VMMK-121, VMMK-1, VMMK, VMM