SSM3K56ACT,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CST3-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

840 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.38 mm

Lunghezza:

1 mm

Serie:

SSM3K56

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.6 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tags

SSM3K56, SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM