MRF5S21130HR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

N

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

13.5 dB

Potenza di uscita:

28 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-880-3

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

5.08 mm

Lunghezza:

34.16 mm

Frequenza operativa:

2.11 GHz to 2.17 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

13.8 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

372 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Unità di peso:

0.343346 oz

Tags

MRF5S21130H, MRF5S2113, MRF5S211, MRF5S2, MRF5S, MRF5, MRF