TN0610N3-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Marca:

Tecnologia a microchip

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

TN0610N3-G, TN0610N3, TN0610N, TN061, TN06, TN0