PMDPB30XN,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

650 mV

Qg - Carica cancello:

14.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

8.33 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Unità di peso:

0.000254 oz

Tags

PMDPB30, PMDPB3, PMDPB, PMDP, PMD