PTFB192503FL-V2-R0

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Guadagno:

19 dB

Potenza di uscita:

240 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 225 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-34288-4/2

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1930 MHz to 1990 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Wolfspeed / Cree

Numero di canali:

1 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Tags

PTFB192503F, PTFB19250, PTFB192, PTFB19, PTFB1, PTFB, PTF