IPB019N08N3GATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

206 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

103 S

Tempo di caduta:

33 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

73 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

86 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Parte # Alias:

G IPB019N08N3 IPB19N8N3GXT SP000444110

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IPB019N08N3G, IPB019N08N3, IPB019N08, IPB019, IPB01, IPB0, IPB