IXDN75N120

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

SOT-227B-4

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Singolo doppio emettitore

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXDN75N120

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

150 A

Altezza:

9.6 mm

Lunghezza:

38.2 mm

Larghezza:

25.07 mm

Marca:

IXYS

Corrente continua del collettore:

150 A

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXDN7, IXDN, IXD