A2T09D400-23NR6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.7 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 70 V

Guadagno:

17.9 dB

Potenza di uscita:

93 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-1230-4L2S-7

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

716 MHz to 960 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Parte # Alias:

935318726528

Unità di peso:

0.186416 oz

Tags

A2T09, A2T0, A2T