BSL205NH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

39 mOhms, 39 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

3.2 nC, 3.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

8.6 S, 8.6 S

Tempo di caduta:

2.4 ns, 2.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.9 ns, 2.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns, 11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.8 ns, 5.8 ns

Parte # Alias:

BSL205N H6327 SP001100646

Unità di peso:

0.000526 oz

Tags

BSL205, BSL20, BSL2, BSL