TSM5NC50CF C0G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

MOSFET di potenza a canale N

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.2 ns

Tags

TSM5NC, TSM5N, TSM5, TSM