STL19N60DM2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT-8x8-HV-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

320 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

21 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

STL19N60DM2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

-

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Tempo di ritardo di accensione tipico:

-

Tags

STL19N, STL19, STL1, STL