IPL65R165CFD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

21.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

149 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

86 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

195 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Serie:

CoolMOS CFD2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

5.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

52.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.4 ns

Parte # Alias:

IPL65R165CFDAUMA1 SP000949254

Tags

IPL65R16, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL